3W 1470nm лазерен чип с един емитер

3W 1470nm лазерен чип с един емитер е InP-базиран немонтиран диоден лазерен чип, който работи от 1450 до 1490 nm. Осигурява 3 W мощност и има ефективност над 23%. Този TE поляризиран лазерен диоден чип има спектрална ширина по-малка от 20 nm (FWHM). Състои се от един емитер с ширина 100 μm. 3W 1470nm лазерен чип с един емитер изисква DC захранване от 1,6 V и консумира по-малко от 9 A ток. Той е произведен с InP епитаксиален слой на Brandnew и е идеален за приложения в медицината, естетиката, осветлението и обработката на материали.