3W 808nm CW лазерен чип с един емитер за оптична комуникация в свободно пространство
Чиповете с лазерен диод с един емитер (SE) са основният градивен елемент за полупроводникови лазерни модули с висока мощност и висока яркост. Нашите продукти се сглобяват лесно, като се използват стандартни методи за запояване.
По заявка можем също да произвеждаме пръти с непрекъсната p-страна метализация и адаптирани фасетни покрития, като използваме покрития с ниска AR за сглобяване на външни резонатори.
Отличителен белег:
ефективна технология за разсейване на топлината при опаковане
ниско напрежение, висока ефективност, дълъг живот
висока надеждност и висока производителност на разходите
характеристики на устойчивост на висока температура
Отлична спояемост
Приложение:
Лидар за автономно шофиране
Влакнесто лазерно засяване
Дерматология и хирургия.
Обработка на материала
Информационен лист
Артикул №: LC808SE3
Име на артикула: 3W 808nm CW лазерен чип с един емитер
Оптичен | Тип |
Централна дължина на вълната | 808 nm |
Изходяща мощност | 3W |
Работен режим | CW |
Ширина на спектъра | 2nm |
Ширина на излъчвателя | 100μm |
Наклон на излъчвателя | 500μm |
Дължина на кухината | 2000μm |
Дебелина | 130μm |
| Бързо отклонение на осите | 35 градуса |
| Бързо отклонение на осите | 9 градуса |
| Режим на поляризация | TE |
| Ефективност на наклона | 1.2W/A |
Електрически | |
Работен ток Iop | 2.8A |
Прагов ток Ith | 0.4A |
Работно напрежение Vop | 1.75V |
Ефективност на преобразуването | 60% |
Термичен | |
Работна температура | 15-35℃ |
Дължина на вълната Температурен коефициент | 0,28 nm/℃ |
чертеж:
Популярни тагове: 3w 808nm cw единичен емитер лазерен чип доставчици, производители Китай, фабрика, на едро, произведени в Китай