Диоден лазер класификация

Лазерният диод е по същество полупроводников диод. Според това дали p-n съединенията са идентични, лазерният диод може да бъде разделен на хомогенен възел, единична хетерохункция (SH), двойна хетерохункция (DH) и квантов кладенец (QW) лазерен диод. Квантовият лазерен диод с нисък праг на тока и висока изходна мощност е основен продукт на пазара. Като компонентен материал се използват AlGaAs, InGaAlP, InGaN, ZnO и други комбинирани полупроводници. Тъй като вероятността за преход si (вероятността от текущо преобразуване на светлина), използвана от LSI, Tr, Di и така нататък е лошо, те не са подходящи за лазерен диод.