Кристалните диоди за p-тип полупроводник и образуването на n-тип полупроводникови pn преходи в слоя за космически заряд се образуват от двете страни на интерфейса и оттогава е изградило електрическо поле. Когато няма външно напрежение, резултатът от pn кръстовището от двете страни на дифузионния ток на градиента на концентрацията на носителя и изграденото електрическо поле на дрейфовия ток в електрическо равновесие е еднакъв.
Когато навън, когато има положително компенсиране на напрежението, външното електрическо поле и изграждането на взаимно възпрепятстващо действие на електрическото поле за увеличаване на дифузията на носителите е причинило напред тока.
Когато отвън, когато има напрежение с обратен отклонение, изграждане на електрическо поле от външно електрическо поле и допълнително укрепване и образува определен обхват на обратното напрежение на стойността на напрежението на обратното отклонение на обратния ток на насищане I0.
Когато обратното напрежение до определена степен, силата на електрическото поле на pn прехода в процеса на размножаване на носителя на космически заряд достигне критична стойност, произвежда голям брой двойки електрон-дупка, толкова голям е обратният ток на пробив, известен като феномен на разпадане на диоди.